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唐笑的这次回乡探路之旅，持续了整整一个月，等他启程前往台员岛视察晶圆代工厂落实情况的时候，负责经开区业务的团队已经组建完成。
团队的组建主要是唐笑智囊团的三大智囊杨帆、德博拉和博瑞克负责的，他们三个一个负责财务审计、一个负责法律文书、一个负责人力资源，倒是和经开区项目负责团队的组建运营颇为契合。
唐笑已经想好了，等到华夏这边的项目正式启动之后，一定要让三人负责的事务所也在经开区这边设立分部。有了这么一大帮专业人士帮助自己负责具体事项的落实，真的是不要太省心。
凯瑟琳早就回了巴黎，老丈人赵文北在华夏这边待了几天之后也回文莱去了。不过在他离开之前，一支有着丰富房地产开发经验的团队已经常驻到了乐城这边，负责起了接下来的综合体项目。
台员岛方面，晶圆代工厂唐芯半导体已经正式注册成立，唐笑在硅谷设立的半导体研究机构和笑脸二号基金持有的ASML股份都已划归到唐芯旗下。赵文北提前买下的新竹科技园工业地块，此时也已经正式动工。
唐芯半导体这边的负责团队，用的就是唐笑在硅谷组建的半导体研究机构的核心成员，主要负责人是博瑞克从IBM用超高年薪挖过来的一位出自台员岛的年仅三十二岁的年轻女博士——苏姿丰。
1969年11月7日，LisaSu出生于华夏台员岛台南市，三岁时即随父负笈美国。当时其父Dr.TomSu在哥伦比亚大学就读研究院，LisaSu旋即入学哥大师院附设的幼稚园及小学。
1976年，Tom搬到Bayside，Lisa后来就进入附近的小学P因其成绩优异，不久即跳级进入特殊初中随后考上纽约市最有名的三所明星高中之一，BronxHighSchoolofScience。
Lisa的数学和领导能力超强，钢琴造诣亦高深。虽曾有机会入茱利叶音乐学院就读，却放弃之。进入BronxScience高中后，荣获西屋科学奖，并以优异成绩毕业于BronxScience。
1986年，进入MIT主修电机，大二研习SOI技术，Lisa在大学生时代，常到各工厂学习与见习晶片制造流程。她的高等教育BS，MS及Ph.D.皆在MIT完成，而且在年仅24岁时就得到MIT的电机博士。
1994年，Lisa顶著MIT电机博士的光环先到德州仪器，再转入IBM研发部门，负责研发铜晶片的制程，利用SOI技术，即是半导体革命性的发展，Lisa厥功甚伟，也替IBM创造了百亿的商机。
之后Lisa担任IBM研发部门主管，CEO特助。在IBMCEO的教导下学习了不少领导、谈判技巧。尔后IBM拨给一笔经费创立一部门，首度研发cellchip，应用在SonyPS3，后用于MicrosoftX-Box及任天堂。
说起苏姿丰，有些人可能不是很了解，但是提起AMD的“苏妈”，在她的带领下，AMD公司通过锐龙系列处理器成功逆袭英特尔的事情，以及她在锐龙芯片发布会上喊出的那句“AMDYes”，知道的人肯定就不在少数了。
唐笑自己就很年轻，现在也不过才27周岁，用起年轻人来自然是毫无压力。苏姿丰在得知唐笑将任命她为唐芯半导体CEO的时候，虽然也微微愣了一下，但是很快就展现出了强大的自信力。
半导体行业讲究以技术服人，苏姿丰出任唐芯半导体CEO的事情，虽然也引起了团队的一些震荡，但是很快就被她以强势手腕给压制了下去。
唐笑动身前往华夏的时候，苏姿丰也带领着她的团队动身前往了台员新竹。经过一个多月的筹备，唐芯半导体的台员工厂正式开工动土，唐笑前往台员岛，主要也是为了参加唐芯半导体的动工仪式。
赶在唐芯半导体新竹厂正式动工的前夜抵达台员，唐笑其实是有事要和苏姿丰商量。半导体领域，要说人头熟络，唐笑是远远不及苏姿丰的，有些事情，就算他有计划，具体落实执行的时候还是要交给这位女强人。
听取完苏姿丰关于这段时间的情况汇报之后，唐笑开口了：“丽萨，和ASML就浸没式光刻技术领域合作的谈判事宜，需要你亲自落实。我们的技术可以授权给他们使用，甚至我们还可以提供最多一亿五千万美元的资金援助，代价嘛，3.8%的ASML公司股份和唐芯半导体的优先供货权。”
唐芯半导体原本就持有ASML6.2%的股份，再度拿下3.8%股份的话，持股比例就有10%了。唐笑没想过控股ASML，也没有想过要介入到ASML的经营管理之中，这么做，完全就是出于自保的考虑。
当然，唐笑没有垄断ASML光刻机的心思，这样无疑会毁了ASML公司，但是一个优先供货权还是可以争取的。拿到这个优先权，对唐笑来说无比重要，至少这样会让唐芯半导体在和台积电的竞争中掌握一部分优势。
此前唐芯半导体已经完成了浸没式光刻技术和130纳米铜制程替代技术的攻关，从技术层面上看，是要略微领先于台积电的。不过很遗憾的是，台积电现在的月产能是40万片八英寸硅晶圆，唐芯半导体则是零。
浸没式光刻机方面，哪怕ASML马上投入研发，最快也要一年之后才能出样机，至于工艺成熟的浸没式批量生产光刻机，则需要更长的等待时间。
无论唐笑对浸没式光刻机多看重都好，暂时也只能从几大光刻机厂家订购193纳米步进式光刻机。其实无论是浸没式光刻机也好，还是步进式光刻机也罢，只要能够让唐芯半导体快速实现量产，都是不错的选择。
毕竟理论上193纳米步进式光刻机的极限是65纳米，只要唐芯半导体能够完成从铝制成到铜制程技术的研发，随后的90纳米和65纳米制程上，并不会出现太过复杂的难题需要他们解决。
唐笑布局浸没式光刻机，其实是冲着65纳米以下制程去的。130纳米这个节点，最难攻克的铜制程替换技术，他们也已经完成了学术方面的论证，只等工厂建成设备到位之后，就能进行量产方面的实验。